【導讀】如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發生擊穿現象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發生擊穿現象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））
（2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴展，但其在SJ-MOS中的擴展方式與在一般D-MOS中不同。（關于電場強度，參見圖3-9（a）／（b）。電場強度將表示耗盡層的狀態。
（3）如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發生擊穿現象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。
（4）所以，SJ-MOS可采用具有較低電阻的N層設計，以實現低導通電阻產品。
采用與DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以實現更低的導通電阻。
圖3-9（a）D-MOS（π-MOS）的結構和電場
圖3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的結構和電場
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