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如何防護(hù)電磁輻射，對(duì)人體健康到底有沒有危害？
手機(jī)和基站的電磁輻射會(huì)不會(huì)危害人體健康？公眾對(duì)此非常關(guān)心，國(guó)內(nèi)媒體充斥著形形色色的專家建議。事實(shí)上，國(guó)外發(fā)達(dá)國(guó)家和國(guó)際組織對(duì)此已經(jīng)有過多年的研究，結(jié)論是手機(jī)和基站的電磁輻射與腦瘤白血病等疾病無關(guān)，日常生活中的電磁輻射對(duì)人體健康沒有危害，這已是科學(xué)界的共識(shí)。
2016-08-03
電磁輻射 防護(hù) 健康 危害
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掌握IC封裝的特征能讓EMI達(dá)到最佳抑制性能？
將去耦電容直接放在IC封裝內(nèi)可以有效控制EMI并提高信號(hào)的完整性，本文從IC內(nèi)部封裝入手，分析EMI的來源、IC封裝在EMI控制中的作用，進(jìn)而提出11個(gè)有效控制EMI的設(shè)計(jì)規(guī)則，有助于設(shè)計(jì)工程師在新的設(shè)計(jì)中選擇最合適的集成電路芯片，以達(dá)到最佳EMI抑制的性能。
2016-08-03
抑制EMI 集成電路 封裝
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新型EMC寬帶TEM喇叭天線設(shè)計(jì)
本文提出了一種結(jié)構(gòu)新穎的寬帶TEM喇叭天線，滿足電磁兼容（EMC）測(cè)量設(shè)備對(duì)寬頻帶天線的需求。天線輻射結(jié)構(gòu)采用了上下對(duì)稱的雙指數(shù)漸變復(fù)合結(jié)構(gòu)的金屬板，使得天線的諧振模式大大增加，從而拓展帶寬天線，然后通過巴倫結(jié)構(gòu)與同軸線匹配饋電，降低輸入端不平衡饋電造成的強(qiáng)反射。具有寬帶和良好的輻...
2016-08-02
EMC 寬帶TEM喇叭天線
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EMC測(cè)試中為什么往往垂直極化的測(cè)試結(jié)果大于水平極化？
經(jīng)常會(huì)有工程師、客戶、以及同事聊到測(cè)試輻射時(shí)，為什么大部分都是接收天線在垂直方向比較差，水平方向卻很好呢？很多客戶在測(cè)試時(shí)特別是開關(guān)電源客戶看一下水平方向的數(shù)據(jù)確認(rèn)沒有問題后，直接無視水平測(cè)試數(shù)據(jù)，只測(cè)試雙錐對(duì)數(shù)周期天線垂直極化方向的數(shù)據(jù)就好。
2016-08-02
EMC測(cè)試 垂直極化 水平極化
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大牛教你如何解決PCB設(shè)計(jì)中EMC問題
隨著高速設(shè)計(jì)時(shí)代的來臨，PCB設(shè)計(jì)已經(jīng)從以前簡(jiǎn)單的擺器件、拉線發(fā)展到一門以電工學(xué)為基礎(chǔ)，綜合電子、熱、機(jī)械、化工等多學(xué)科的專業(yè)了。PCB設(shè)計(jì)的好壞直接決定了產(chǎn)品開發(fā)的質(zhì)量和周期，成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)鏈中關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié)。在社會(huì)化分工越來越細(xì)的今天，PCB設(shè)計(jì)已逐漸成為一門獨(dú)立的學(xué)科，在歐美，專業(yè)...
2016-08-01
PCB設(shè)計(jì) EMC PCB
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防止外界的EMI，對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)提出可行的EMS技術(shù)方法
單片機(jī)系統(tǒng)的EMC問題已經(jīng)成為電子工程師關(guān)注的重要課題。本文對(duì)單片機(jī)系統(tǒng)的EMI進(jìn)行分析并提出一些可行的EMS技術(shù)方法。
2016-07-12
EMI EMS 單片機(jī)
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LinkSwitch導(dǎo)致電磁兼容性問題，工程師何以解憂？
電源是各種電子設(shè)備必不可少的重要組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到整個(gè)電子系統(tǒng)的安全性和可靠性。單片開關(guān)電源集成電路由于其具有高集成度、高性價(jià)比、最簡(jiǎn)外圍電路、最佳性能指標(biāo)等優(yōu)點(diǎn)，顯示出了強(qiáng)大的生命力。隨之帶來的電磁兼容性問題也不容忽視，本文以真實(shí)案例為例講解工程師如何化解LinkS...
2016-07-11
LinkSwitch 單片電源 開關(guān)電源 電磁兼容
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法；并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
2016-06-27
MOSFET 損耗分析 EMI
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數(shù)字電路PCB設(shè)計(jì)中的EMI控制技術(shù)
EMI 的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線或公共地線的傳導(dǎo)、通過空間輻射或通過近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI 的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號(hào)質(zhì)量，對(duì)電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，使設(shè)備不能滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。
2016-06-23
PCB EMI
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